| Поле DC | Значение | Язык |
|---|
| dc.contributor.author | Демидов, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Рыбалка, С. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-04-04T12:34:12Z | - |
| dc.date.available | 2022-04-04T12:34:12Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Демидов, А.А. Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.) / А.А. Демидов, С.Б. Рыбалка // Прикладная математика & Физика. - 2021. - Т.53, №1.-С. 53-72. - Doi: 10.18413/2687-0959-2021-53-1-53-72. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/45800 | - |
| dc.description.abstract | В обзоре рассмотрены современные и перспективные полупроводниковые материалы (кремний (Si), карбид кремния (SiC), нитрид галлия (GaN), алмаз, оксид галлия (Ga2O3), нитрид алюминия (AlN), нитрид бора (BN)) с точки зрения их использования при импортозамещении существующих и создании новых изделий микро- электроники. Дана оценка перспективности использования наиболее актуальных полупроводниковых материалов в ближайшее десятилетие | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | физика твердого тела | ru |
| dc.subject | физика полупроводников | ru |
| dc.subject | кремний | ru |
| dc.subject | карбид кремния | ru |
| dc.subject | нитрид галлия | ru |
| dc.subject | алмаз | ru |
| dc.subject | оксид галлия | ru |
| dc.subject | нитрид алюминия | ru |
| dc.subject | нитрид бора | ru |
| dc.subject | силовая микроэлектроника | ru |
| dc.title | Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.) | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Т. 53, № 1
|
