http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/60391| Название: | Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO |
| Авторы: | Кучеев, С. И. Межаков, Н. Н. Захвалинский, В. С. Пилюк, Е. А. |
| Ключевые слова: | физика физика твердого тела кристаллография жидкие кристаллы кремний нематики нитрид кремния магнетрон электроды лазерное излучение светочувствительность |
| Дата публикации: | 2017 |
| Библиографическое описание: | Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO / С.И. Кучеев [и др.] ; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2017. - №13(262), вып.47.-С. 85-91. - Библиогр.: с. 91. |
| Краткий осмотр (реферат): | Наноразмерные (< 10 нм) пленки нитрида кремния, полученные магнетронным напылением, изменяют порог светочувствительности МДП структуры типа Si/Si3N4/HeMaTHK 5СВ/прозрачный электрод. Сдвиг смещения порога светочувствительности демонстрирует пропорциональность толщине пленок на начальных этапах их напыления |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60391 |
| Располагается в коллекциях: | № 13 (262), вып. 47 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kucheev_Obednenie_17.pdf | 267.15 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.